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参数资料
| 型号： | SUD50N06-09L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 60V TO252 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.3 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 136W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUD50N06-09L-E3DKR |
SUD50N06-09L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C unless noted)
2.5
100
V GS = 10 V
I D = 20 A
2.0
T J = 150 °C
1.5
T J = 25 °C
10
1.0
0.5
0.0
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72004
S13-0298-Rev. F, 11-Feb-13
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SUD50N06-09L-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
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| SUD50N06-12-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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| SUD50N06-16-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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