参数资料
型号: SUD50N06-09L-E3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 6/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 60V TO252
标准包装: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 50A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9.3 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2650pF @ 25V
功率 - 最大: 136W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252,(D-Pak)
包装: 标准包装
其它名称: SUD50N06-09L-E3DKR
Package Information
www.vishay.com
TO-252AA Case Outline
Vishay Siliconix
E
b3
A
C2
DIM.
A
A1
b
b2
b3
C
C2
D
D1
E
MILLIMETERS
MIN. MAX.
2.18
2.38
-
0.127
0.64
0.88
0.76
1.14
4.95
5.46
0.46
0.61
0.46
0.89
5.97
6.22
4.10
-
6.35
6.73
MIN.
0.086
-
0.025
0.030
0.195
0.018
0.018
0.235
0.161
0.250
INCHES
MAX.
0.094
0.005
0.035
0.045
0.215
0.024
0.035
0.245
-
0.265
b
e1
e
b2
C
A1
E1
H
e
4.32 -
9.40 10.41
2.28 BSC
0.170 -
0.370 0.410
0.090 BSC
e1
4.56 BSC
0.180 BSC
L
L3
L4
L5
1.40
0.89
-
1.01
1.78
1.27
1.02
1.52
0.055
0.035
-
0.040
0.070
0.050
0.040
0.060
ECN: T13-0359-Rev. O, 03-Jun-13 ?
E1
DWG: 5347
Notes
? Dimension L3 is for reference only.
? Xi’an, Mingxin, and GEM SH actual photo.
Revision: 03-Jun-13
1
Document Number: 71197
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
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参数描述
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SUD50N06-12-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK
SUD50N06-16 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
SUD50N06-16-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK