- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384954 > TC58FV321 (Toshiba Corporation) TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY PDF资料下载
参数资料
| 型号： | TC58FV321 |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 东芝马鞍山数字集成电路硅栅CMOS 32兆位（4米× 8位/ 2米× 16位）的CMOS闪存 |
| 文件页数： | 21/48页 |
| 文件大小： | 560K |
| 代理商： | TC58FV321 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页当前第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页
TC58FVT321/B321FT/XB-70,-10
2002-08-06 21/48
AC CHARACTERISTICS AND OPERATING CONDITIONS
READ CYCLE
PRODUCT NAME
-70
-10
OUTPUT CAPACITANCE LOAD (C
L
)
30pF
100pF
30pF
100pF
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX MIN
MAX MIN
MAX
MIN
MAX UNIT
t
RC
Read Cycle Time
70
80
90
100
ns
t
ACC
Address Access Time
70
80
90
100
ns
t
CE
CE
Access Time
70
80
90
100
ns
t
OE
OE
Access Time
30
35
35
40
ns
t
CEE
CE
to Output Low-Z
0
0
0
0
ns
t
OEE
OE
to Output Low-Z
0
0
0
0
ns
t
OH
Output Data Hold Time
0
0
0
0
ns
t
DF1
CE
to Output High-Z
25
25
30
30
ns
t
DF2
OE
to Output High-Z
25
25
30
30
ns
BLOCK PROTECT
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
t
VPT
V
ID
Transition Time
4
μ
s
t
VPS
V
ID
Set-up Time
4
μ
s
t
CESP
CE
Set-up Time
4
μ
s
t
VPH
OE
Hold Time
4
μ
s
t
PPLH
WE Low-Level Hold Time
100
μ
s
PROGRAM AND ERASE CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP.
MAX
UNIT
Auto-Program Time (Byte Mode)
8
300
μ
s
t
PPW
Auto-Program Time (Word Mode)
11
300
μ
s
t
PCEW
Auto Chip Erase Time
50
710
s
t
PBEW
Auto Block Erase Time
10
5
0.7
10
s
t
EW
Erase/Program Cycle
Cycles
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC58NS256DC | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 256-MBIT (32M ?8 BITS) CMOS NAND E2PROM (32M BYTE SmartMediaTM) |
| TC58V32ADC | 32M Bit (4M×8Bits ) CMOS Flash Memory(4M×8位CMOS闪速存储器) |
| TC59RM716RB-6 | 128M Bits（256K x16x32Banks）DRAM(128M位（256K x16x32组）动态RAM) |
| TC59RM716RB-7 | 128M Bits（256K x16x32Banks）DRAM(128M位（256K x16x32组）动态RAM) |
| TC59RM716RB-8 | 128M Bits（256K x16x32Banks）DRAM(128M位（256K x16x32组）动态RAM) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC58FVB004FT-10 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY |
| TC58FVB004FT-12 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY |
| TC58FVB004FT-85 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:4M (512K x 8) BIT CMOS FLASH MEMORY |
| TC58FVB160A | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC58FVB160AF | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:16-MBIT (2M x 8 BITS / 1M x 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。