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参数资料
| 型号： | TC58FV321 |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 东芝马鞍山数字集成电路硅栅CMOS 32兆位（4米× 8位/ 2米× 16位）的CMOS闪存 |
| 文件页数： | 26/48页 |
| 文件大小： | 560K |
| 代理商： | TC58FV321 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页当前第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页
TC58FVT321/B321FT/XB-70,-10
2002-08-06 26/48
Auto-Program Operation (WE
Auto Chip Erase
/
Auto Block Erase Operation (WE
Note: Word Mode address shown.
BA: Block address for Auto Block Erase operation
CE
OE
WE
V
DD
Address
D
IN
AAH
55H
80H
AAH
55H
10H/30H
t
CMD
t
OES
t
VDS
555H
2AAH
555H
555H
2AAH
555H/BA
Address
CE
WE
D
IN
t
CMD
D
OUT
t
OEHP
t
PPW
PA
555H
2AAH
555H
D
OUT
7
DQ
t
OES
t
VDS
Note: Word Mode address shown.
PA: Program address
PD: Program data
V
DD
OE
PA
Hi-Z
AAH
55H
A0H
PD
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PDF描述 |
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