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参数资料
| 型号： | TC58FV321 |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 东芝马鞍山数字集成电路硅栅CMOS 32兆位（4米× 8位/ 2米× 16位）的CMOS闪存 |
| 文件页数： | 38/48页 |
| 文件大小： | 560K |
| 代理商： | TC58FV321 |
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TC58FVT321/B321FT/XB-70,-10
2002-08-06 38/48
Block Protect 1
Yes
No
PLSCNT
=
1
WE
=
V
IL
Start
PLSCNT
=
25
Protect Another Block
Data
=
01H
PLSCNT
=
PLSCNT
+
1
Set up Block Address
Addr.
=
BPA
OE
=
A9
=
V
ID
,
CE
=
V
IL
Wait for 100
μ
s
Verify Block Protect
Remove V
ID
from A9
Yes
No
OE
=
V
IL
No
Yes
BPA: Block Address and ID Read Address (A6, A1, A0)
ID Read Address
=
(0, 1, 0)
Wait for 4
μ
s
Wait for 4
μ
s
WE
=
V
IH
Wait for 4
μ
s
Block Protect
Complete
Device Failed
OE
=
V
IH
Wait for 4
μ
s
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PDF描述 |
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