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参数资料
| 型号： | TC58FV321 |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 东芝马鞍山数字集成电路硅栅CMOS 32兆位（4米× 8位/ 2米× 16位）的CMOS闪存 |
| 文件页数： | 24/48页 |
| 文件大小： | 560K |
| 代理商： | TC58FV321 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页当前第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页
TC58FVT321/B321FT/XB-70,-10
2002-08-06 24/48
Command Write Operation
This is the timing of the Command Write Operation. The timing which is described in the following pages is
essentially the same as the timing shown on this page.
WE Control
CE Control
Address
D
IN
Command address
t
AS
t
CMD
t
WES
t
WEH
WE
t
AH
t
DH
t
DS
t
CELH
CE
t
CEHH
Command data
Address
CE
D
IN
Command address
t
AS
t
CMD
t
CES
t
WEL
WE
t
CEH
t
AH
t
DH
t
DS
t
WEHH
Command data
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PDF描述 |
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参数描述 |
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