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参数资料
| 型号： | TC58FV321 |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 东芝马鞍山数字集成电路硅栅CMOS 32兆位（4米× 8位/ 2米× 16位）的CMOS闪存 |
| 文件页数： | 3/48页 |
| 文件大小： | 560K |
| 代理商： | TC58FV321 |
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TC58FVT321/B321FT/XB-70,-10
2002-08-06 3/48
BLOCK DIAGRAM
BY
/
RY
Buffer
Data Latch
Control Circuit
Command Register
I/O Buffer
Memory Cell
Array
Bank 0
A
A
V
DD
V
SS
DQ0
BY
/
RY
DQ15
WE
BYTE
RESET
CE
OE
A0
A20
A-1
/ACC
WP
Memory Cell
Array
Bank 8
Memory Cell
Array
Bank 7
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