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参数资料
| 型号： | TC58FVT321-10 |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | 32M Bit (4M×8Bits ) CMOS Flash Memory(4M×8位CMOS闪速存储器) |
| 中文描述： | 32兆位（4米× 8位）的CMOS闪存（4米× 8位的CMOS闪速存储器） |
| 文件页数： | 21/46页 |
| 文件大小： | 518K |
| 代理商： | TC58FVT321-10 |
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TC58FVT321/B321FT-10
2000-08-30 21/46
COMMAND WRITE/PROGRAM/ERASE CYCLE
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
t
CMD
Command Write Cycle Time
100
ns
t
AS
Address Set-up Time
/
BYTE Set-up Time
0
ns
t
AH
Address Hold Time
/
BYTE Hold Time
50
ns
t
AHW
Address Hold Time from
WE
High level
20
ns
t
DS
Data Set-up Time
50
ns
t
DH
Data Hold Time
0
ns
t
WELH
WE Low-Level Hold Time
( WE Control)
50
ns
t
WEHH
WE High-Level Hold Time
( WE Control)
20
ns
t
CES
CE
Set-up Time to WE Active
( WE Control)
0
ns
t
CEH
CE
Hold Time from WE High Level
( WE Control)
0
ns
t
CELH
CE
Low-Level Hold Time
(
CE
Control)
50
ns
t
CEHH
CE
High-Level Hold Time
(
CE
Control)
20
ns
t
WES
WE Set-up time to
CE
Active
(
CE
Control)
0
ns
t
WEH
WE Hold Time from
CE
High Level
(
CE
Control)
0
ns
t
OES
OE
Set-up Time
0
ns
t
OEHP
OE
Hold Time (Toggle, Data Polling)
90
ns
t
OEHT
OE
High-Level Hold Time (Toggle)
20
ns
t
BEH
Erase Hold Time
50
μ
s
t
VDS
V
DD
Set-up Time
500
μ
s
t
BUSY
Program/Erase Valid to
BY
/
RY
Delay
90
ns
t
RP
RESET
Low-Level Hold Time
500
ns
t
READY
RESET
Low-Level to Read Mode
20
μ
s
t
RB
BY
/
RY
Recovery Time
0
ns
t
RH
RESET
Recovery Time
50
ns
t
CEBTS
CE
Set-up time BYTE Transition
5
ns
t
BTD
BYTE to Output High-Z
30
ns
t
SUSP
Program Suspend Command to Suspend Mode
1.5
μ
s
t
RESP
Program Resume Command to Program Mode
1
μ
s
t
SUSE
Erase Suspend Command to Suspend Mode
15
μ
s
t
RESE
Erase Resume Command to Erase Mode
1
μ
s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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