收藏本站
参数资料
型号： TC58FVT321-10
厂商： Toshiba Corporation
英文描述： 32M Bit (4M×8Bits ) CMOS Flash Memory(4M×8位CMOS闪速存储器)
中文描述： 32兆位（4米× 8位）的CMOS闪存（4米× 8位的CMOS闪速存储器）
文件页数： 32/46页
文件大小： 518K
代理商： TC58FVT321-10
TC58FVT321/B321FT-10
2000-08-30 32/46
Block Protect 2 Operation
Address
A0
A6
CE
t
CMD
OE
BA
BA
t
OE
BA: Block address
BA
+
1: Address of next block
*
: 01H indicates that block is protected.
WE
A1
BA
+
1
t
CMD
t
CMD
t
RC
t
PPLH
60H
40H
60H
60H
01H
*
D
IN
D
OUT
Hi-Z
V
IH
V
ID
t
VPS
RESET
BA
相关PDF资料
PDF描述
TC58FV321 TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY
TC58NS256DC TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 256-MBIT (32M ?8 BITS) CMOS NAND E2PROM (32M BYTE SmartMediaTM)
TC58V32ADC 32M Bit (4M×8Bits ) CMOS Flash Memory(4M×8位CMOS闪速存储器)
TC59RM716RB-6 128M Bits（256K x16x32Banks）DRAM(128M位（256K x16x32组）动态RAM)
TC59RM716RB-7 128M Bits（256K x16x32Banks）DRAM(128M位（256K x16x32组）动态RAM)
相关代理商/技术参数
参数描述
TC58FVT321-70 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY
TC58FVT321FT-10 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 32M-Bit 4M x 8/2M x 16 100ns 48-Pin TSOP-I
TC58FVT321FT-70 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY
TC58FVT321XB 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY
TC58FVT321XB-10 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*