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参数资料
| 型号： | TPS65040ZQER |
| 厂商： | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| 元件分类： | 电源管理 |
| 英文描述： | 8-CHANNEL POWER SUPPLY MANAGEMENT CKT, PBGA71 |
| 封装： | 5 X 5 MM, 0.50 MM PITCH, GREEN, PLASTIC, MICRO, BGA-71 |
| 文件页数： | 67/73页 |
| 文件大小： | 1928K |
| 代理商： | TPS65040ZQER |
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www.ti.com
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
SLVS708B – NOVEMBER 2006 – REVISED APRIL 2007
Over recommended input conditions, T
A = –30°C to 85°C, typical values are VBAT = 3.8 V, VIO1V8 = 1.85 V at TA = 25°C
(unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
BUCK BOOST DC/DC CONVERTER
PABIAS1 pin = 2.414 V
0.8
VO(BKBT)
Output voltage
PABIAS1 pin = 1.407 V
2.5
V
PABIAS1 pin = 0.400 V
4.2
Maximum output
mA
IO(BKBT)
550
current(1)
VBAT = 3.8 V, ILOAD = 10 A, PABIAS1 pin
–50
50
voltage accuracy =
±0 mV at T
A = 25°C
VO(BKBT_ACC)
Output voltage accuracy
mV
VBAT = 3.8 V, ILOAD = 10 A, PABIAS1 pin
–80
80
voltage accuracy =
±0 mV(2)
ISD(BKBT)
Shutdown current
VBDDP pin and DDINA pin at TA = 25°C
1
A
DDINA pin, ILOAD= 0 mA, PABIAS1 pin = 1.4 V,
IQ(BKBT)
Quiescent current
0.8
3
mA
No External Component, device is not switching
VREG
Line Regulation(2)
VBAT = 3.1 V to 4.5 V, ILOAD = 400 mA
20
40
mV
IREG
Load Regulation(2)
ILOAD = 10 A to 400 mA
20
40
mV
VBAT
≥ 4.0 V, V
0(BKBT) = 3.5 V, ILOAD = 270 mA
93%
VBAT
≥ 3.1 V, V
0(BKBT) = 4.0 V, ILOAD = 270 mA
90%
Efficiency(2)
VBAT
≥ 3.1 V, V
0(BKBT) = 2.5 V, ILOAD = 150 mA
90%
VBAT
≥ 3.1 V, V
0(BKBT) = 1.6 V, ILOAD = 90 mA
80%
VBAT
≥ 3.1 V, V
0(BKBT) = 1.0 , ILOAD = 65 mA
70%
fS
Switching frequency
1.2
1.5
1.8
MHz
Max Duty
Boost Mode
40%
50%
60%
P-channel MOSFET on
RDS(on)P
150
m
resistance(2)
N-channel MOSFET on
RDS(on)N
150
m
resistance(2)
Output ripple voltage(2)
VO(BKBT) = 0.8 V ~ 4.2 V, ILOAD = 10 mA ~ 400 mA
100
mVpp
VBAT = 4.2 V, V0(BKBT) = 1 V to 4 V,
25
50
s
ILOAD = 100 mA
VBAT = 4.2 V, V0(BKBT) = 4 V to 1 V,
25
50
s
ILOAD = 400 mA to 20 mA
VBAT = 4.2 V, V0(BKBT) = 1 V to 1.5 V,
25
50
s
ILOAD = 20 mA
VBAT = 4.2 V, V0(BKBT) = 2 V to 2.5 V,
25
50
s
ILOAD = 50 mA
Output voltage settling
time of buck mode(2)(3)
VBAT = 4.2 V, V0(BKBT) = 3.5 V to 4 V,
25
50
s
ILOAD = 150 mA
VBAT = 4.2 V, V0(BKBT) = 1.5 V to 1 V,
25
50
s
ILOAD = 150 mA to 20 mA
VBAT = 4.2 V, V0(BKBT) = 2.5 V to 2 V,
25
50
s
ILOAD = 200 mA to 50 mA
VBAT = 4.2 V, V0(BKBT) = 4 V to 3.5 V,
25
50
s
ILOAD = 400 mA to 150 mA
(1)
Using the reference EVM.
(2)
Not production tested. Specified by using the reference EVM.
(3)
Settling time measures
±0.2 V of the target V
O(BKBT) voltage
7
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