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参数资料
| 型号： | TPS659107A1RSL |
| 厂商： | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| 元件分类： | 电源管理 |
| 英文描述： | 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PQCC48 |
| 封装： | 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.40 MM PITCH, PLASTIC, VQFN-48 |
| 文件页数： | 5/93页 |
| 文件大小： | 1014K |
| 代理商： | TPS659107A1RSL |
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SWCS046I
– MARCH 2010 – REVISED JULY 2011
VIO SMPS
over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Input voltage (VCCIO and VCC7) VIN
IOUT ≤ 800 mA
2.7
5.5
VOUT = 1.5 V or 1.8 V, IOUT > 800 mA
3.2
5.5
V
VOUT = 2.5 V, IOUT > 800 mA
4.0
5.5
VOUT = 3.3 V, IOUT > 800 mA
4.4
5.5
PWM mode (VIO_PSKIP = 0) or pulse skip
DC output voltage (VOUT)
mode IOUT to IMAX
VSEL=00
–3%
1.5
+3%
VSEL = 01, default BOOT[1:0] = 00 and 01
–3%
1.8
+3%
VSEL = 10
–3%
2.5
+3%
V
VSEL = 11
–3%
3.3
+3%
Power down
0
Rated output current IOUTmax
ILMAX[1:0] = 00, default
500
mA
ILMAX[1:0] = 01
1000
P-channel MOSFET
VIN = VINmin
300
m
Ω
On-resistance RDS(ON)_PMOS
VIN = 3.8 V
250
400
P-channel leakage current ILK_PMOS
VIN = VINMAX, SWIO = 0 V
2
A
N-channel MOSFET
VIN = VMIN
300
m
Ω
On-resistance RDS(ON)_NMOS
VIN = 3.8 V
250
400
N-channel leakage current ILK_NMOS
VIN = VINmax, SWIO = VINmax
2
A
PMOS current limit (high-side)
VIN = VINmin to VINmax, ILMAX[1:0] = 00
650
VIN = VINmin to VINmax, ILMAX[1:0] = 01
1200
mA
VIN = VINmin to VINmax, ILMAX[1:0] = 01
1700
NMOS current limit (low-side)
Source current load:
VIN = VINmin to VINmax, ILMAX[1:0] = 00
650
VIN = VINmin to VINmax, ILMAX[1:0] = 01
1200
VIN = VINmin to VINmax, ILMAX[1:0] = 10
1700
mA
Sink current load:
VIN = VINmin to VINmax, ILMAX[1:0] = 00
800
VIN = VINmin to VINmax, ILMAX[1:0] = 01
1200
VIN = VINmin to VINmax, ILMAX[1:0] = 10
1700
DC load regulation
On mode, IOUT = 0 to IOUTmax
20
mV
DC line regulation
On mode, VIN = VINmin to VINmax
20
mV
VIN = 3.8 V, VOUT = 1.8 V
50
mV
Transient load regulation
IOUT = 0 to 500 mA , Max slew = 100 mA/s
IOUT = 700 to 1200 mA , Max slew = 100 mA/s
t on, off to on
IOUT = 200 mA
350
s
Overshoot
SMPS turned on
3%
0.025
×
Power-save mode Ripple voltage
Pulse skipping mode, IOUT = 1 mA
VPP
VOUT
Switching frequency
3
MHz
Duty cycle
100
%
Minimum On Time TON(MIN)
35
ns
P-channel MOSFET
VFBIO internal resistance
0.5
1
M
Ω
Discharge resistor for power-down
During device switch-off sequence
30
50
Ω
sequence RDIS
Note: No discharge resistor is applied if VIO is
turned off while the device is on.
Copyright
2010–2011, Texas Instruments Incorporated
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PDF描述 |
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