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参数资料
| 型号： | V58C2128404SBLT6I |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 4 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66 |
| 文件页数： | 31/60页 |
| 文件大小： | 915K |
| 代理商： | V58C2128404SBLT6I |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页当前第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页
37
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2128(804/404/164)SB*I
V58C2128(804/404/164)SB*I Rev. 1.3 March 2006
Address and control input hold time
(fast slew rate)
tIH
F
0.60
0.75
ns
14
Address and control input setup time
(fast slew rate)
tIS
F
0.60
0.75
ns
14
Address and control input hold time
(slow slew rate)
tIH
S
0.70
0.80
ns
14
Address and control input setup time
(slow slew rate)
tIS
S
0.70
0.80
ns
14
LOAD MODE REGISTER command cycle time
tMRD
2
tCK
DQ-DQS hold, DQS to first DQ to go non-valid,
per access
tQH
tHP
-tQHS
tHP
-tQHS
ns
25, 26
Data hold skew factor
tQHS
0.50
0.55
ns
ACTIVE to PRECHARGE command
tRAS
40
70,000
42
120,000
ns
35
ACTIVE to READ with Auto precharge
command
tRAP
15
18
ns
46
ACTIVE to ACTIVE/AUTO REFRESH
command period
tRC
60
ns
AUTO REFRESH command period
tRFC
70
72
ns
50
ACTIVE to READ or WRITE delay
tRCD
15
18
ns
PRECHARGE command period
tRP
15
18
ns
DQS read preamble
tRPRE
0.9
1.1
0.9
1.1
tCK
42
DQS read postamble
tRPST
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
ACTIVE bank a to ACTIVE bank b command
tRRD
10
12
ns
DQS write preamble
tWPRE
0.25
tCK
DQS write preamble setup time
tWPRES
0
ns
20, 21
DQS write postamble
tWPST
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
19
Write recovery time
tWR
15
ns
Internal WRITE to READ command delay
tWTR
2
tCK
Data valid output window
na
tQH - tDQSQ
ns
25
Average periodic refresh interval
tREFI
15.6
us
Terminating voltage delay to VDD
tVTD
0
ns
Exit SELF REFRESH to non-READ command
tXSNR
75
ns
Exit SELF REFRESH to READ command
tXSRD
200
tCK
AC CHARACTERISTICS
-5
-6
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS
NOTES
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V58C365164S5 | 4M X 16 DDR DRAM, 0.1 ns, PDSO66 |
| V608ME06 | VCO, 1900 MHz - 2270 MHz |
| V603ME07 | VCO, 1896 MHz - 1924 MHz |
| V6049001 | VCO, 1600 MHz - 2200 MHz |
| V610ME04 | VCO, 1950 MHz - 2150 MHz |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| V58C2128804S | 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 128 Mbit DDR SDRAM |
| V58C2256 | 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 256 Mbit DDR SDRAM |
| V58C2256164S | 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 256 Mbit DDR SDRAM |
| V58C2256324SAB30 | 制造商:Marvell 功能描述:Marvell V58C2256324SAB30 |
| V58C2256324SAB33 | 制造商:Marvell 功能描述:Marvell V58C2256324SAB33 |
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