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参数资料
| 型号： | V58C2256404SHUR5 |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 4 DDR DRAM, PBGA60 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MO-233, FBGA-60 |
| 文件页数： | 31/60页 |
| 文件大小： | 1125K |
| 代理商： | V58C2256404SHUR5 |
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37
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2256(804/404/164)SH
V58C2256(804/404/164)SH Rev. 1.1 July 2010
Address and control input hold time ( fast slew rate )
tIHF
0.60
0.75
ns
14
Address and control input setup time ( fast slew rate )
tISF
0.60
0.75
ns
14
Address and control input hold time ( slow slew rate )
tIHS
0.70
0.80
ns
14
Address and control input setup time ( slow slew rate )
tISS
0.70
0.80
ns
14
Control & Address input width ( for each input )
tIPW
2.2
ns
53
LOAD MODE REGISTER command cycle time
tMRD
222
tCK
DQ-DQS hold, DQS to first DQ to go non-valid
per access
tQH
tHP
-tQHS
tHP
-tQHS
tHP
-tQHS
ns
25, 26
Data hold skew factor
tQHS
0.50
0.55
ns
ACTIVE to PRECHARGE command
tRAS
40
120,000
40
120,000
42
120,000
ns
35
ACTIVE to READ with Auto precharge command
tRAP
151518
ns
46
ACTIVE to ACTIVE/AUTO REFRESH command
period
tRC
55
60
ns
AUTO REFRESH command period
tRFC
707072
ns
50
ACTIVE to READ or WRITE delay
tRCD
15
18
ns
PRECHARGE command period
tRP
15
18
ns
DQS read preamble
tRPRE
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
tCK
42
DQS read postamble
tRPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
ACTIVE bank a to ACTIVE bank b command
tRRD
10
12
ns
DQS write preamble
tWPRE
0.25
tCK
DQS write preamble setup time
tWPRES
0
ns
20, 21
DQS write postamble
tWPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
19
Write recovery time
tWR
15
ns
Internal WRITE to READ command delay
tWTR
222
tCK
Data valid output window
na
tQH - tDQSQ
ns
25
Average periodic refresh interval
tREFI
7.8
us
Terminating voltage delay to VDD
tVTD
000
ns
Exit SELF REFRESH to non-READ command
tXSNR
757575
ns
Exit SELF REFRESH to READ command
tXSRD
200
tCK
AC CHARACTERISTICS
SYMBOL
-4
-5
-6
Units Notes
PARAMETER
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
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PDF描述 |
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