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参数资料
| 型号： | V58C2256404SHUR5 |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 4 DDR DRAM, PBGA60 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MO-233, FBGA-60 |
| 文件页数： | 34/60页 |
| 文件大小： | 1125K |
| 代理商： | V58C2256404SHUR5 |
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4
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2256(804/404/164)SH
V58C2256(804/404/164)SH Rev. 1.1 July 2010
66 Pin Plastic TSOP-II
Pin Configuration
Top View
Pin Names
CK, CK
Differential Clock Input
CKE
Clock Enable
CS
Chip Select
RAS
Row Address Strobe
CAS
Column Address Strobe
WE
Write Enable
DQS (UDQS, LDQS)
Data Strobe (Bidirectional)
A0–A12
Address Inputs
BA0, BA1
Bank Select
DQ’s
Data Input/Output
DM (UDM, LDM)
Data Mask
VDD
Power
(+2.5V and +2.6V for DDR400)
VSS
Ground
VDDQ
Power for I/O’s
(+2.5V and +2.6V for DDR400)
VSSQ
Ground for I/O’s
NC
Not connected
VREF
Reference Voltage for Inputs
1
2
3
4
5
6
9
10
11
12
13
14
7
8
15
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19
20
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22
66
65
64
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62
61
58
57
56
55
54
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59
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40
28
29
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31
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33
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38
37
36
35
34
VDD
NC
VDDQ
NC
DQ0
VSSQ
VDDQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
VDDQ
NC
VDD
NC
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA0
BA1
VSS
NC
VSSQ
NC
DQ3
VDDQ
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
VSSQ
DQS
NC
VREF
VSS
DM
CK
CKE
NC
A12
A11
A9
AP/A10
A0
A1
A2
A3
VDD
DQ0
VDDQ
NC
DQ1
VSSQ
VDDQ
NC
DQ3
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
VDD
NC
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA0
BA1
AP/A10
A0
A1
A2
A3
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
NC
DQ3
DQ4
VDDQ
LDQS
NC
VDD
NC
LDM
WE
NC
CAS
RAS
CS
NC
BA0
BA1
AP/A10
A0
A1
A2
A3
VDD
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
DQ7
VSSQ
NC
DQ6
VDDQ
VSSQ
NC
DQ4
VDDQ
NC
DQ5
VSSQ
DQS
NC
VREF
VSS
DM
CK
CKE
NC
A12
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
DQ12
DQ11
VSSQ
UDQS
NC
VREF
VSS
UDM
CK
CKE
NC
A12
66 PIN TSOP (II)
(400mil x 875 mil)
Bank Address
BA0-BA1
Row Address
A0-A12
Auto Precharge
A10
16Mb x 16
32Mb x 8
64Mb x 4
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PDF描述 |
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