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参数资料
| 型号： | W19B320ATT9G |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件页数： | 15/53页 |
| 文件大小： | 479K |
| 代理商： | W19B320ATT9G |
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W19B320AT/B
- 22 -
7.4 Sector Address Table (Bottom Boot Block)
BANK
SECTOR
SECTOR ADDRESS
A20-A12
SECTOR SIZE
(Kbytes/Kwords)
(x8)
ADDRESS RANGE
(x16)
ADDRESS RANGE
SA0
000000000
8/4
000000h-001FFFh
000000h-000FFFh
SA1
000000001
8/4
002000h-003FFFh
001000h-001FFFh
SA2
000000010
8/4
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SA3
000000011
8/4
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SA4
000000100
8/4
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SA5
000000101
8/4
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005000h-005FFFh
SA6
000000110
8/4
00C000h-00DFFFh
006000h-006FFFh
SA7
000000111
8/4
00E000h-00FFFFh
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SA8
000001XXX
64/32
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SA9
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64/32
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SA10
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SA12
000101XXX
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SA13
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64/32
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Bank
1
SA14
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SA15
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SA16
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SA17
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SA18
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SA19
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64/32
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SA20
001101XXX
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SA21
001110XXX
64/32
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SA22
001111XXX
64/32
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SA23
010000XXX
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SA24
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SA25
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SA36
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64/32
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0E8000h-0EFFFFh
SA37
011110XXX
64/32
1E0000h-1EFFFFh
0F0000h-0F7FFFh
Bank
2
SA38
011111XXX
64/32
1F0000h-1FFFFFh
0F8000h-0FFFFFh
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WE128K32-200HSC | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CHIP66 |
| WS512K32-20G4M | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68 |
| WS512K32-55G4I | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 55 ns, CQFP68 |
| WPDE8M72V-70MDCT | 8M X 72 EDO DRAM MODULE, 70 ns, PDMA168 |
| WE512K8-150CIA | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CDIP32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W19B320B | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB-H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BB-M | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BT | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
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