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参数资料
| 型号： | W19B320ATT9G |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件页数： | 41/53页 |
| 文件大小： | 479K |
| 代理商： | W19B320ATT9G |
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W19B320AT/B
- 46 -
9.9 #Data Polling Waveform (During Embedded Algorithms)
TRC
Valid Data
VA
TCE
TACC
TOE
T OEH
TBUSY
TOH
TCH
TDF
Addresses
DQ0-DQ6
VA
Valid Data
High Z
DQ7
Status Data
Complement
True
Status Data
Complement
True
RY/#BY
#WE
#OE
#CE
Note:
VA= Valid Address. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle, and array data
read cycle.
9.10 Toggle Bit Waveform (During Embedded Algorithms)
Addresses
DQ6/DQ2
Valid Data
Valid
Status
Valid
Status
Valid
Status
(stop toggling)
TOE
TOEH
TCEPH
TOEPH
TDH
TASO
TAHT
TAS
TAHT
RY/#BY
#WE
#OE
#CE
(first read)
(second read)
Note:
VA= Valid address;not requires for DQ6. Illustration shows first two status cycle after command sequence, last status
read cycle, and array data read cycle.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WE128K32-200HSC | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CHIP66 |
| WS512K32-20G4M | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68 |
| WS512K32-55G4I | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 55 ns, CQFP68 |
| WPDE8M72V-70MDCT | 8M X 72 EDO DRAM MODULE, 70 ns, PDMA168 |
| WE512K8-150CIA | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CDIP32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W19B320B | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB-H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BB-M | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BT | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
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