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参数资料
| 型号： | W19B320ATT9G |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件页数： | 42/53页 |
| 文件大小： | 479K |
| 代理商： | W19B320ATT9G |
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W19B320AT/B
Publication Release Date: December 27, 2005
- 47 -
Revision A4
9.11 DQ 2 vs. DQ6 Waveform
#WE
Erase Suspend
DQ2
DQ6
Enter
Embedded
Erasing
Read
Erase
Suspend
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase
Suspend
Program
Erase Suspend
Read
Erase
Resume
Complete
Note:
DQ2 toggles only when read at an address within an erase-suspended sector. The sysytem may use #OE or #CE to
toggle DQ2 and DQ6.
9.12 Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
T RSP
TVIDR
V IL
VSS
IH
V
or
, ,
T RRB
TVIDR
V IL
VSS
IH
V
or
, ,
VID
Program or Erase Command Sequence
#RESET
#CE
#WE
RY/#BY
9.13 Sector/Sector Block Protect and Unprotect Timing Diagram
DATA
Valid*
A1,A0
SA,A6,
#RESET
*For sector protect,A6=0,A1=1,A0=0.For sector unprotect ,A6=1,A1=1,A0=0
Sector/Sector Block Protect:150
μs,
Sector/Sector Block Unprotect:15ms
1 μs
Sector/sector Block Protect or Unprotect
V ID
VIH
60h
Valid*
40h
Verify
Status
#CE
#WE
#OE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WE128K32-200HSC | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CHIP66 |
| WS512K32-20G4M | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68 |
| WS512K32-55G4I | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 55 ns, CQFP68 |
| WPDE8M72V-70MDCT | 8M X 72 EDO DRAM MODULE, 70 ns, PDMA168 |
| WE512K8-150CIA | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CDIP32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W19B320B | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB-H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BB-M | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BT | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
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