- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录245678 > W19B320ATT9G (WINBOND ELECTRONICS CORP) 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | W19B320ATT9G |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件页数： | 38/53页 |
| 文件大小： | 479K |
| 代理商： | W19B320ATT9G |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页当前第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页
W19B320AT/B
Publication Release Date: December 27, 2005
- 43 -
Revision A4
9.3 #BYTE Waveform for Read Operation
DQ0-DQ14
DQ15/A-1
Data Output
(DQ0-DQ14)
DQ15
Output
(DQ0-DQ7)
Data Output
Address
Input
DQ0-DQ14
DQ15
Output
Address
Input
DQ15/A-1
Data Output
(DQ0-DQ14)
(DQ0-DQ7)
Data Output
TELFL
TFLQZ
TELFH
TFHQV
#OE
#CE
#BYTE
Switching
from word
to byte
mode
#BYTE
Switching
from byte
to word
mode
#BYTE
9.4 #BYTE Waveform for Write Operation
TSET
THOLD
AS
(T )
(TAH)
Note: Refer to the Erase /Program Operations table for TAS and TAH Specifica
#CE
#BYTE
#WE
The falling edge of the last #WE sign
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WE128K32-200HSC | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CHIP66 |
| WS512K32-20G4M | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68 |
| WS512K32-55G4I | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 55 ns, CQFP68 |
| WPDE8M72V-70MDCT | 8M X 72 EDO DRAM MODULE, 70 ns, PDMA168 |
| WE512K8-150CIA | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CDIP32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W19B320B | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB-H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BB-M | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BT | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。