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参数资料
| 型号： | W25Q32BWSNIP |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| 封装： | 0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件页数： | 40/72页 |
| 文件大小： | 2212K |
| 代理商： | W25Q32BWSNIP |
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W25Q32BW
Publication Release Date: July 08, 2010
- 45 -
Preliminary - Revision E
10.2.27 Erase / Program Resume (7Ah)
The Erase/Program Resume instruction “7Ah” must be written to resume the Sector or Block Erase
operation or the Page Program operation after an Erase/Program Suspend. The Resume instruction
“7Ah” will be accepted by the device only if the SUS bit in the Status Register equals to 1 and the BUSY
bit equals to 0. After issued the SUS bit will be cleared from 1 to 0 immediately, the BUSY bit will be set
from 0 to 1 within 200ns and the Sector or Block will complete the erase operation or the page will
complete the program operation. If the SUS bit equals to 0 or the BUSY bit equals to 1, the Resume
instruction “7Ah” will be ignored by the device. The Erase/Program Resume instruction sequence is
shown in figure 25.
Resume instruction is ignored if the previous Erase/Program Suspend operation was interrupted by
unexpected power off. It is also required that a subsequent Erase/Program Suspend instruction not to be
issued within a minimum of time of “tSUS” following a previous Resume instruction.
Figure 25. Erase/Program Resume Instruction Sequence
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25Q32BWSSIG | 4M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W25Q40BWSNIP | 4M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W25Q64BVSSIP | 8M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W25Q64CVZPAG | 64M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W25Q64CVZEAG | 64M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| W25Q32DWSFIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
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