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参数资料
型号： W25Q32BWSNIP
厂商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分类： PROM
英文描述： 4M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8
封装： 0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8
文件页数： 54/72页
文件大小： 2212K
代理商： W25Q32BWSNIP
W25Q32BW
- 58 -
11.3 Power-up Timing and Write Inhibit Threshold
SPEC
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
UNIT
VCC (min) to /CS Low
tVSL(1)
10
s
Time Delay Before Write Instruction
tPUW(1)
1
10
ms
Write Inhibit Threshold Voltage
VWI(1)
1.0
1.4
V
Note:
1. These parameters are characterized only.
Figure 37. Power-up Timing and Voltage Levels
相关PDF资料
PDF描述
W25Q32BWSSIG 4M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
W25Q40BWSNIP 4M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
W25Q64BVSSIP 8M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
W25Q64CVZPAG 64M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
W25Q64CVZEAG 64M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
相关代理商/技术参数
参数描述
W25Q32DW 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI
W25Q32DWSFIG 功能描述:IC FLASH SPI 32MBIT 16SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR)
W25Q32DWSFIP 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI
W25Q32DWSSIG 功能描述:IC FLASH SPI 32MBIT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR)
W25Q32DWSSIP 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI
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