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参数资料
| 型号： | W25Q80BVSFIG |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO16 |
| 封装： | 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-16 |
| 文件页数： | 41/72页 |
| 文件大小： | 1878K |
| 代理商： | W25Q80BVSFIG |
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W25Q80BV
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10.2.28 Erase / Program Resume (7Ah)
The Erase/Program Resume instruction must be written to resume the Sector or Block Erase operation or
the Page Program operation after an Erase/Program Suspend. After issued the BUSY bit in the Status
Register will be set to a 1, the SUS bit in the Status Register will clear to 0 and the Sector or Block will
complete the erase operation or the page will complete the program operation. Resume instructions will
be ignored unless an Erase/Program Suspend operation is active. The Erase/Program Resume
instruction sequence is shown in figure 26.
Resume instruction is ignored if the previous Erase/Program Suspend operation was interrupted by
unexpected power off.
Figure 26. Erase/Program Resume Instruction Sequence
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25X32AVZPIG | 4M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| W25X32AVSFIG | 4M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO16 |
| W26L04AJ-12I | 256K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO44 |
| W26L04AH-10 | 256K X 16 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44 |
| W28A | CERPAC, 28 LEAD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q80BVSNAG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BVSNAP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BVSNIG | 功能描述:IC SPI FLASH 8MBIT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| W25Q80BVSNIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述: 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 8MBIT 104MHZ 8SOIC |
| W25Q80BVSNIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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