- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录141433 > W25X20-VSNI (WINBOND ELECTRONICS CORP) 2M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | W25X20-VSNI |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| 封装： | 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件页数： | 30/42页 |
| 文件大小： | 1198K |
| 代理商： | W25X20-VSNI |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页当前第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页
W25X10, W25X20, W25X40 AND W25X80
- 36 -
10.8 AC Electrical Characteristics (cont’d)
SPEC
DESCRIPTION
SYMBOL
ALT
MIN
TYP
MAX
UNIT
/HOLD Active Setup Time relative to CLK
tHLCH
5
ns
/HOLD Active Hold Time relative to CLK
tCHHH
5
ns
/HOLD Not Active Setup Time relative to CLK
tHHCH
5
ns
/HOLD Not Active Hold Time relative to CLK
tCHHL
5
ns
/HOLD to Output Low-Z
tHHQX(2)
tLZ
7
ns
/HOLD to Output High-Z
tHLQZ(2)
tHZ
12
ns
Write Protect Setup Time Before /CS Low
tWHSL(4)
20
ns
Write Protect Hold Time After /CS High
tSHWL(4)
100
ns
/CS High to Power-down Mode
tDP(2)
3
s
/CS High to Standby Mode without Electronic
Signature Read
tRES1(2)
3
s
/CS High to Standby Mode with Electronic
Signature Read
tRES2(2)
1.8
s
Write Status Register Cycle Time
tW
5
15
ms
Page Program Cycle Time
3.0V-3.6V VCC
2.7V-3.6V VCC
tPP
1.5
5
ms
Sector Erase Cycle Time (4KB)
tSE
150
300
ms
Block Erase Cycle Time (64KB)
tBE
1
2
s
Chip Erase Cycle Time W25X10 / W25X20
Chip Erase Cycle Time W25X40
Chip Erase Cycle Time W25X80
tCE
3
5
10
6
10
20
s
Notes:
1. Clock high + Clock low must be less than or equal to 1/fC.
2. Value guaranteed by design and/or characterization, not 100% tested in production.
3. Expressed as a slew-rate.
4. Only applicable as a constraint for a Write Status Register instruction when Sector Protect Bit is set at 1.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WS512K32-100G4Q | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CQFP68 |
| WF8M32-100G4DM5 | 8M X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 100 ns, CQFP68 |
| WF8M32-120G4DI5 | 8M X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, CQFP68 |
| WMS512K8B-15CIEA | 512K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, CDIP32 |
| WMS512K8B-17DEMEA | 512K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, CDSO32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25X20VSNIG | 功能描述:IC FLASH 2MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
| W25X20VSNIG T&R | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 2MBIT 75MHZ 8SOIC |
| W25X20VSNIG T&R | 功能描述:IC FLASH 2MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
| W25X20VSNIZ | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT, 4M-BIT AND 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
| W25X20VSSC | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT, 4M-BIT AND 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。