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参数资料
| 型号： | W28J800BT90L |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件页数： | 29/49页 |
| 文件大小： | 1527K |
| 代理商： | W28J800BT90L |
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W28J800B/T
Publication Release Date: April 11, 2003
- 35 -
Revision A4
DC Characteristics
VDD = 2.7V
3.6V
PARAMETER
SYM.
TEST
CONDITIONS
Typ.
Max.
UNIT
Input Load Current
(Note 1)
ILI
VDD = VDD Max.
VIN = VDD or VSS
±0.5
A
Output Leakage Current
(Note 1)
ILO
VDD = VDD Max.
VOUT = VDD or VSS
±0.5
A
ICCS
CMOS Level Inputs VDD = VDD Max.
#CE = #RESET = VDD ±0.2V
2
15
A
VDD Standby Current
(Note 1, 3, 6)
TTL Level Inputs VDD = VDD Max.
#CE = #RESET = VIH
0.2
2
mA
VDD Auto Power-save Current
(Note 1, 5, 6)
ICCAS
CMOS Level Inputs VDD = VDD Max.
#CE = VSS ±0.2V
2
15
A
VDD Reset Power-down Current
(Note 1)
ICCD
#RESET = VSS ±0.2V IOUT(RY/#BY)
= 0 mA
2
15
A
ICCR
CMOS Level Inputs
VDD = VDD Max., #CE = VSS,
f = 5 MHz, IOUT = 0 mA
15
25
mA
VDD Read Current (Note 1, 6)
TTL Level Inputs VDD = VDD Max.,
#CE = VSS, f = 5 MHz, IOUT = 0 mA
30
mA
ICCW
VPP = 2.7V 3.6V
5
17
mA
VDD Word/Byte Write or Set Lock-bit
Current (Note 1, 7)
VPP = 11.7V 12.3V
5
12
mA
ICCE
VPP = 2.7V 3.6V
4
17
mA
VDD Block Erase, Full Chip Erase or
Clear Block Lock-bits Current
(Note 1, 7)
VPP = 11.7V 12.3V
4
12
mA
VDD Word/Byte Write or Block Erase
Suspend Current (Note 1, 2)
ICCWS
ICCES
#CE = VIH
1
6
mA
VPP ≤ VDD
±2
±15
A
VPP Standby or Read Current
(Note 1)
ICCWS
ICCWR
VPP > VDD
10
200
A
VPP Auto Power-save Current
(Note 1, 5, 6)
ICCWAS
CMOS Level Inputs VDD = VDD Max.
#CE = VSS ±0.2V
0.1
5
A
VPP Reset Power-down Current
(Note 1)
ICCWD
#RESET = VSS ±0.2V
0.1
5
A
VPP = 2.7V 3.6V
12
40
mA
VPP Word/Byte Write or Set Lock-bit
Current (Note 1, 7)
ICCWW
VPP = 11.7V 12.3V
30
mA
VPP = 2.7V 3.6V
8
25
mA
VPP Block Erase, Full Chip Erase
or Clear Block Lock-bits Current
(Note 1, 7)
ICCWE
VPP = 11.7V 12.3V
20
mA
VPP Word/Byte Write or Block Erase
Suspend Current (Note 1)
ICCWWS
ICCWES
VPP = VPPH1/2
10
200
A
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PDF描述 |
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