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参数资料
| 型号： | W29C040T-90N |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO32 |
| 封装： | TSOP1-32 |
| 文件页数： | 22/28页 |
| 文件大小： | 257K |
| 代理商： | W29C040T-90N |
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W29C040
Publication Release Date: Aug. 14, 2006
- 3 -
Revision A11
3.
PIN CONFIGURATIONS
5
6
7
9
10
11
12
13
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
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3
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D
Q
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D
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s
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#CE
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V
D
#
W
E
A
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5
A
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32-pin
PLCC
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A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
Vss
#OE
A10
#CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
32-pin
TSOP
A15
A12
A7
A6
A5
A4
V
#WE
A14
A13
A8
DD
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A9
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A16
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A
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A15
A12
V
#WE
A14
A13
A8
A9
A11
#OE
A10
#CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DD
A17
32-pin
DIP
A18
4.
BLOCK DIAGRAM
DECODER
CORE
ARRAY
CONTROL
OUTPUT
BUFFER
#CE
#OE
#WE
A0
A18
.
DQ0
DQ7
.
16K Byte Boot Block (Optional)
V
DD
SS
5.
PIN DESCRIPTION
SYMBOL
PIN NAME
A0
A18
Address Inputs
DQ0
DQ7
Data Inputs/Outputs
#CE
Chip Enable
#OE
Output Enable
#WE
Write Enable
VDD
Power Supply
VSS
Ground
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WED2ZL361MS26BC | 1M X 36 ZBT SRAM, 2.6 ns, PBGA119 |
| W3E32M72S-266BC | 32M X 72 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA219 |
| W3HG128M72AEF665F1MCG | DDR DRAM MODULE, DMA240 |
| WS128K32-100G4QE | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CQFP68 |
| WS128K32N-70HME | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 70 ns, CHIP66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W29C101-12 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-12B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-70 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-70B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-90 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
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