- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录231502 > W29C040T-90N (WINBOND ELECTRONICS CORP) 512K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO32 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | W29C040T-90N |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO32 |
| 封装： | TSOP1-32 |
| 文件页数： | 28/28页 |
| 文件大小： | 257K |
| 代理商： | W29C040T-90N |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页当前第28页
W29C040
Publication Release Date: Aug. 14, 2006
- 9 -
Revision A11
7.3
Command Codes for Software Chip Erase
BYTE SEQUENCE
ADDRESS
DATA
0 Write
5555H
AAH
1 Write
2AAAH
55H
2 Write
5555H
80H
3 Write
5555H
AAH
4 Write
2AAAH
55H
5 Write
5555H
10H
Software Chip Erase Acquisition Flow
Load data AA
to
address 5555
Load data 55
to
address 2AAA
Load data 80
to
address 5555
Load data AA
to
address 5555
Load data 55
to
address 2AAA
Load data 10
to
address 5555
W ait for 50 m S or
Exit
toggle/polling
com pleted
Notes for software chip erase:
Data Format: DQ7
DQ0 (Hex)
Address Format: A14
A0 (Hex)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WED2ZL361MS26BC | 1M X 36 ZBT SRAM, 2.6 ns, PBGA119 |
| W3E32M72S-266BC | 32M X 72 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA219 |
| W3HG128M72AEF665F1MCG | DDR DRAM MODULE, DMA240 |
| WS128K32-100G4QE | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CQFP68 |
| WS128K32N-70HME | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 70 ns, CHIP66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W29C101-12 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-12B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-70 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-70B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-90 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。