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参数资料
| 型号： | W29C040T-90N |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO32 |
| 封装： | TSOP1-32 |
| 文件页数： | 8/28页 |
| 文件大小： | 257K |
| 代理商： | W29C040T-90N |
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W29C040
- 16 -
Byte/Page-write Cycle Timing Parameters
PARAMETER
SYM.
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Write Cycle (erase and program)
TWC
-
10
mS
Address Setup Time
TAS
0
-
nS
Address Hold Time
TAH
50
-
nS
#WE and #CE Setup Time
TCS
0
-
nS
#WE and #CE Hold Time
TCH
0
-
nS
#OE High Setup Time
TOES
0
-
nS
#OE High Hold Time
TOEH
0
-
nS
#CE Pulse Width
TCP
70
-
nS
#WE Pulse Width
TWP
70
-
nS
#WE High Width
TWPH
100
-
nS
Data Setup Time
TDS
50
-
nS
Data Hold Time
TDH
0
-
nS
Byte Load Cycle Time
TBLC
-
200
μS
Notes:
All AC timing signals observe the following guideline for determining setup and hold times:
(1) High level signal's reference level is VIH
(2) Low level signal's reference level is VIL
#DATA Polling Characteristics (1)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Data Hold Time
TDH
10
-
nS
#OE Hold Time
TOEH
10
-
nS
#OE to Output Delay (2)
TOE
-
nS
Write Recovery Time
TWR
0
-
nS
Notes:
(1) These parameters are characterized and not 100% tested.
(2) See TOE spec in A.C. Read Cycle Timing Parameters.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WED2ZL361MS26BC | 1M X 36 ZBT SRAM, 2.6 ns, PBGA119 |
| W3E32M72S-266BC | 32M X 72 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA219 |
| W3HG128M72AEF665F1MCG | DDR DRAM MODULE, DMA240 |
| WS128K32-100G4QE | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CQFP68 |
| WS128K32N-70HME | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 70 ns, CHIP66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W29C101-12 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-12B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-70 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-70B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-90 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
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