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参数资料
| 型号： | W29C040T-90N |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO32 |
| 封装： | TSOP1-32 |
| 文件页数： | 26/28页 |
| 文件大小： | 257K |
| 代理商： | W29C040T-90N |
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W29C040
Publication Release Date: Aug. 14, 2006
- 7 -
Revision A11
7.
TABLE OF OPERATING MODES
7.1
Operating Mode Selection
Operating Range: 0 to 70
° C for normal products, -40 to 85° C for W29C040xxxxK, VDD = 5V ±10 %, VSS = 0V, VHH = 12V
MODE
PINS
#CE
#OE
#WE
ADDRESS
DQ.
Read
VIL
VIH
AIN
Dout
Write
VIL
VIH
VIL
AIN
Din
Standby
VIH
X
High Z
Write Inhibit
X
VIL
X
High Z/DOUT
X
VIH
X
High Z/DOUT
Output Disable
X
VIH
X
High Z
Product ID
VIL
VIH
A0 = VIL; A1
A18 = VIL;
A9 = VHH
Manufacturer Code DA
(Hex)
VIL
VIH
A0 = VIH; A1
A18 =
VIL;
A9 = VHH
Device Code
46 (Hex)
7.2
Command Codes for Software Data Protection
BYTE SEQUENCE
TO ENABLE PROTECTION
TO DISABLE PROTECTION
ADDRESS
DATA
ADDRESS
DATA
0 Write
5555H
AAH
5555H
AAH
1 Write
2AAAH
55H
2AAAH
55H
2 Write
5555H
A0H
5555H
80H
3 Write
-
5555H
AAH
4 Write
-
2AAAH
55H
5 Write
-
5555H
20H
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WED2ZL361MS26BC | 1M X 36 ZBT SRAM, 2.6 ns, PBGA119 |
| W3E32M72S-266BC | 32M X 72 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA219 |
| W3HG128M72AEF665F1MCG | DDR DRAM MODULE, DMA240 |
| WS128K32-100G4QE | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CQFP68 |
| WS128K32N-70HME | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 70 ns, CHIP66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W29C101-12 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-12B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-70 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-70B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-90 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
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