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参数资料
| 型号： | W9412G6IH-5 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 18/53页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR-400 SDRAM 128MB 66TSSOPII |
| 标准包装： | 108 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR SDRAM |
| 存储容量： | 128M（8Mx16） |
| 速度： | 250MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 66-TSOP II |
| 包装： | 托盘 |
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W9412G6IH
8.2
Function Truth Table
(Note 1)
CURRENT
STATE
CS RAS
H
X
L
H
CAS
X
H
WE
X
X
ADDRESS
X
X
COMMAND
DSL
NOP/BST
NOP
NOP
ACTION
NOTES
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
ILLEGAL
3
Idle
Row Active
Read
Write
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
X
H
H
H
L
L
L
L
X
H
H
H
H
L
L
L
L
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
H
H
L
L
X
H
L
L
H
H
L
L
X
H
H
L
L
H
H
L
L
X
H
H
L
L
H
H
L
L
L
H
L
H
L
X
X
H
L
H
L
H
L
X
H
L
H
L
H
L
H
L
X
H
L
H
L
H
L
H
L
BA, CA, A10
BA, RA
BA, A10
X
Op-Code
X
X
BA, CA, A10
BA, CA, A10
BA, RA
BA, A10
X
Op-Code
X
X
X
BA, CA, A10
BA, CA, A10
BA, RA
BA, A10
X
Op-Code
X
X
X
BA, CA, A10
BA, CA, A10
BA, RA
BA, A10
X
Op-Code
WRIT/WRITA
ACT
PRE/PREA
AREF/SELF
MRS/EMRS
DSL
NOP/BST
READ/READA
WRIT/WRITA
ACT
PRE/PREA
AREF/SELF
MRS/EMRS
DSL
NOP
BST
READ/READA
WRIT/WRITA
ACT
PRE/PREA
AREF/SELF
MRS/EMRS
DSL
NOP
BST
READ/READA
WRIT/WRITA
ACT
PRE/PREA
AREF/SELF
MRS/EMRS
ILLEGAL
Row activating
NOP
Refresh or Self refresh
Mode register accessing
NOP
NOP
Begin read: Determine AP
Begin write: Determine AP
ILLEGAL
Precharge
ILLEGAL
ILLEGAL
Continue burst to end
Continue burst to end
Burst stop
Term burst, new read: Determine AP
ILLEGAL
ILLEGAL
Term burst, Precharging
ILLEGAL
ILLEGAL
Continue burst to end
Continue burst to end
ILLEGAL
Term burst, start read: Determine AP
Term burst, start read: Determine AP
ILLEGAL
Term burst, Precharging
ILLEGAL
ILLEGAL
3
2
2
4
4
3
5
6
3
6, 7
6
3
8
Publication Release Date: Sep. 16, 2009
- 18 -
Revision A06
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PDF描述 |
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| W9412G6JH-5TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:128M DDR SDRAM X16 200MHZ, 65N |
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