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参数资料
| 型号： | W9412G6IH-5 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 5/53页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR-400 SDRAM 128MB 66TSSOPII |
| 标准包装： | 108 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR SDRAM |
| 存储容量： | 128M（8Mx16） |
| 速度： | 250MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 66-TSOP II |
| 包装： | 托盘 |
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W9412G6IH
3. KEY PARAMETERS
SYMBOL
DESCRIPTION
CL = 2
MIN./MAX.
Min.
Max.
-4
-
-
-5/-5I
7.5 nS
12 nS
-6/-6I
7.5 nS
12 nS
t CK
Clock Cycle Time
CL = 2.5
CL = 3
CL = 4
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
-
-
4 nS
12 nS
4 nS
12 nS
6 nS
12 nS
5 nS
12 nS
-
-
6 nS
12 nS
6 nS
12 nS
-
-
t RAS
t RC
I DD0
I DD1
I DD4R
I DD4W
I DD5
I DD6
Active to Precharge Command Period
Active to Ref/Active Command Period
Operating Current:
One Bank Active-Precharge
Operating Current:
One Bank Active-Read-Precharge
Burst Operation Read Current
Burst Operation Write Current
Auto Refresh Current
Self Refresh Current
Min.
Min.
Max.
Max.
Max.
Max.
Max.
Max.
40 nS
48 nS
130 mA
140 mA
185 mA
185 mA
200 mA
3 mA
40 nS
50 nS
130 mA
140 mA
180 mA
180 mA
200 mA
3 mA
42 nS
54 nS
120 mA
130 mA
170 mA
170 mA
190 mA
3 mA
Publication Release Date: Sep. 16, 2009
-5-
Revision A06
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9412G6JH-5I | IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOPII |
| W9425G6EH-5 | IC DDR-400 SDRAM 256MB 66TSSOPII |
| W9425G6JH-5I | IC DDR SDRAM 256MBIT 66TSOPII |
| W947D2HBJX5E | IC LPDDR SDRAM 128MBIT 90VFBGA |
| W948D2FBJX5E | IC LPDDR SDRAM 256MBIT 90VFBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W9412G6JH | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2M ? 4 BANKS ? 16 BITS DDR SDRAM |
| W9412G6JH-4 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:8*16B DDR1 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR SDRAM 128M 250MHZ 66TSOP |
| W9412G6JH-5 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 66-Pin TSOP 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:128M BIT DDR1 |
| W9412G6JH-5I | 功能描述:IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOPII RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| W9412G6JH-5TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:128M DDR SDRAM X16 200MHZ, 65N |
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