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参数资料
| 型号： | W9412G6JH-5I |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 5/53页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOPII |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR SDRAM |
| 存储容量： | 128M（8Mx16） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 66-TSOP II |
| 包装： | 托盘 |
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W9412G6JH
3. ORDER INFORMATION
PART NUMBER
W9412G6JH-4
W9412G6JH-5
W9412G6JH-5I
W9412G6JH-5K
W9412G6JH-6
W9412G6JH-6I
SPEED
DDR500/CL3 and CL4
DDR400/CL3
DDR400/CL3
DDR400/CL3
DDR333/CL3
DDR333/CL3
SELF REFRESH
CURRENT (MAX.)
2 mA
2 mA
2 mA
2 mA
2 mA
2 mA
OPERATING
TEMPERATURE
0°C ~ 70°C
0°C ~ 70°C
-40°C ~ 85°C
-40°C ~ 105°C
0°C ~ 70°C
-40°C ~ 85°C
4. KEY PARAMETERS
SYMBOL
DESCRIPTION
CL = 2
MIN./MAX.
Min.
Max.
-4
-
-
-5/-5I/-5K
7.5 nS
12 nS
-6/-6I
7.5 nS
12 nS
t CK
Clock Cycle Time
CL = 2.5
CL = 3
CL = 4
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
-
-
4 nS
12 nS
4 nS
12 nS
6 nS
12 nS
5 nS
12 nS
-
-
6 nS
12 nS
6 nS
12 nS
-
-
t RAS
t RC
I DD0
I DD1
I DD4R
I DD4W
I DD5
I DD6
Active to Precharge Command Period
Active to Ref/Active Command Period
Operating Current:
One Bank Active-Precharge
Operating Current:
One Bank Active-Read-Precharge
Burst Operation Read Current
Burst Operation Write Current
Auto Refresh Current
Self Refresh Current
Min.
Min.
Max.
Max.
Max.
Max.
Max.
Max.
40 nS
48 nS
60 mA
75 mA
140 mA
135 mA
75 mA
2 mA
40 nS
50 nS
55 mA
65 mA
120 mA
115 mA
70 mA
2 mA
42 nS
54 nS
50 mA
55 mA
110 mA
100 mA
65 mA
2 mA
Publication Release Date: Jan. 14, 2014
-5-
Revision: A04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9425G6EH-5 | IC DDR-400 SDRAM 256MB 66TSSOPII |
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| W948D2FBJX5E | IC LPDDR SDRAM 256MBIT 90VFBGA |
| W949D2CBJX5E | IC LPDDR SDRAM 512MBIT 90VFBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| W942508CH-5 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M x 4 BANKS x 8 BIT DDR SDRAM |
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