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参数资料
| 型号： | W981216BH-6 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 14/43页 |
| 文件大小： | 1380K |
| 代理商： | W981216BH-6 |
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W981216BH
Publication Release Date: September 20, 2001
- 21 -
Revision A3
11. OPERATING TIMING EXAMPLE
Interleaved Bank Read (Burst Length = 4, CAS Latency = 3)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
(CLK = 100 MHz)
CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9,
A11
A10
BS1
WE
CAS
RAS
CS
BS0
tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRP
tRAS
tRCD
tAC
tRRD
Active
Read
Active
Read
Active
Read
Precharge
RAa
RBb
RAc
RBd
RAe
RAa
CAw
RBb
CBx
RAc
CAy
RBd
CBz
RAe
aw0
aw1
aw2
aw3
bx0
bx1
bx2
bx3
cy0
cy1
cy2
cy3
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W981216BH-75 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:SDRAM, 8M x 16, 54 Pin, Plastic, TSOP |
| W9812G2GB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
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