参数资料
型号: W981216BH-6
厂商: WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分类: DRAM
英文描述: 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54
封装: 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
文件页数: 18/43页
文件大小: 1380K
代理商: W981216BH-6
W981216BH
Publication Release Date: September 20, 2001
- 25 -
Revision A3
Operating Timing Example, continued
Interleaved Bank Write (Burst Length = 8)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRP
tRCD
tRRD
RAa
CAx
RBb
CBy
RAc
CAz
ax0
ax1
ax4
ax5
ax6
ax7
by0
by1
by2
by3
by4
by5
by6
by7
CZ0
CZ1
CZ2
(CLK = 100 MHz)
Write
Precharge
Active
Write
Precharge
Active
Write
CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9,
A11
A10
BS0
WE
CAS
RAS
CS
BS1
Idle
Bank #0
Bank #1
Bank #2
Bank #3
tRAS
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