参数资料
型号: W981216BH-6
厂商: WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分类: DRAM
英文描述: 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54
封装: 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
文件页数: 24/43页
文件大小: 1380K
代理商: W981216BH-6
W981216BH
- 30 -
Operating Timing Example, continued
Auto Pre-charge Write (Burst Length = 4)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
(CLK = 100 MHz)
CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9,
A11
A10
BS1
WE
CAS
RAS
CS
BS0
tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRP
RAa
tRCD
RAb
RAc
RAa
CAw
RAb
CAx
RAc
aw0
aw1
aw2
aw3
bx0
bx1
bx2
bx3
Active
Write
AP*
Active
Write
AP*
* AP is the internal precharge start timing
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
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