- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录276873 > W981216BH-6 (WINBOND ELECTRONICS CORP) 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | W981216BH-6 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 28/43页 |
| 文件大小： | 1380K |
| 代理商： | W981216BH-6 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页当前第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页
W981216BH
- 34 -
Operating Timing Example, continued
Power Down Mode
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
(CLK = 100 MHz)
RAa
CAa
RAa
CAx
RAa
ax0
ax1
ax2
ax3
tSB
tCKS
tSB
tCKS
Active Standby
Power Down mode
Precharge Standby
Power Down mode
Active
NOP
Precharge
NOPActive
Note: The PowerDown Mode is entered by asserting CKE "low".
All Input/Output buffers (except CKE buffers) are turned off in the PowerDown mode.
When CKE goes high, command input must be No operation at next CLK rising edge.
CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9
A11
A10
BS
WE
CAS
RAS
CS
Read
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF512K32-120G4Q5 | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, CQFP68 |
| WF512K32-60G1TQ5A | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 60 ns, CQFP68 |
| WS128K32L-20G1UIA | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68 |
| WS128K32L-20G1UMA | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68 |
| WS128K32L-55G1TM | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 55 ns, CQFP68 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W981216BH-75 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:SDRAM, 8M x 16, 54 Pin, Plastic, TSOP |
| W9812G2GB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6I | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-75 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。