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参数资料
| 型号： | W981216BH-6 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 29/43页 |
| 文件大小： | 1380K |
| 代理商： | W981216BH-6 |
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W981216BH
Publication Release Date: September 20, 2001
- 35 -
Revision A3
Operating Timing Example, continued
Auto Pre-charge Timing (Read Cycle)
Read
AP
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
Q0
Read
AP
Act
Q1
Read
AP
Act
Q1
Q2
AP
Act
Read
Act
Q0
Q3
(1) CAS Latency=2
Read
Act
AP
When the Auto precharge command is asserted, the period from Bank Activate command to
the start of internal precgarging must be at least tRAS(min).
represents the Read with Auto precharge command.
represents the start of internal precharging.
represents the Bank Activate command.
Note )
tRP
( a ) burst length = 1
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
tRP
( a ) burst length = 1
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
Q0
Read
AP
Act
Q0
Read
AP
Act
Q1
Q0
Read
AP
Act
Q1
Q2
Q3
Read
AP
Act
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
(2) CAS Latency=3
tRP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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