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参数资料
| 型号： | W981216BH-6 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 17/43页 |
| 文件大小： | 1380K |
| 代理商： | W981216BH-6 |
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W981216BH
- 24 -
Operating Timing Example, continued
Interleaved Bank Read (Burst Length = 8, CAS Latency = 3, Auto Pre-charge)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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11
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17
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19
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22
23
tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRP
tRCD
tRRD
ax0
ax1
ax2
ax3
ax4
ax5
ax6
ax7
by0
by1
by4
by5
by6
CZ0
RAa
CAx
RBb
CBy
(CLK = 100 MHz)
RAc
CAz
* AP is the internal precharge start timing
Active
Read
Active
Read
tCAC
CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9,
A11
A10
BS1
WE
CAS
RAS
CS
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
Read
AP*
BS0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W981216BH-75 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:SDRAM, 8M x 16, 54 Pin, Plastic, TSOP |
| W9812G2GB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
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