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参数资料
| 型号： | W9825G2DB-6 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封装： | 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-90 |
| 文件页数： | 13/42页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | W9825G2DB-6 |
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W9825G2DB
Publication Release Date:Jun. 24, 2009
- 20 -
Revision A8
10.4 Mode Register Set Cycle
A0
A3
Addressing Mode
0
Sequential
1
Interleave
A0
A9
Single Write Mode
0
Burst read and Burst write
1
Burst read and single write
A0
A2 A1 A0
A0
0
A0
0
1
A0
0
1
0
A0
0
1
A0
1
0
A0
1
0
1
A0
1
0
A0
1
Burst Length
Sequential
Interleave
1
2
4
8
Reserved
Full Page
CAS Latency
Reserved
2
3
Reserved
A0
A6 A5 A4
A0
0
A0
0
1
0
A0
0
1
A0
1
0
A0
0
1
* "Reserved" should stay "0" during MRS cycle.
tRSC
tCMS
tCMH
tCMS
tCMH
tCMS
tCMH
tCMS
tCMH
tAS
tAH
CLK
CS
RAS
CAS
WE
A0-A11
BS0,1
Register
set data
next
command
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
Burst Length
Addressing Mode
CAS Latency
(Test Mode)
A8
A0
A7
A9
A0
Write Mode
A10
BS0
A0
A11
"0"
Reserved
BS1
"0"
Reserved
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PDF描述 |
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