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参数资料
| 型号： | W9825G2DB-6 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封装： | 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-90 |
| 文件页数： | 24/42页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | W9825G2DB-6 |
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W9825G2DB
Publication Release Date:Jun. 24, 2009
- 30 -
Revision A8
11.10 Auto-precharge Write (Burst Length = 4)
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CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9,
A11
A10
BS1
WE
CAS
RAS
CS
BS0
tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRP
RAa
tRCD
RAb
RAc
RAa
CAw
RAb
CAx
RAc
aw0
aw1
aw2
aw3
bx0
bx1
bx2
bx3
Active
Write
AP*
Active
Write
AP*
* AP is the internal precharge start timing
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
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PDF描述 |
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