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参数资料
| 型号： | W9825G2DB-6 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封装： | 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-90 |
| 文件页数： | 17/42页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | W9825G2DB-6 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页当前第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页
W9825G2DB
Publication Release Date:Jun. 24, 2009
- 24 -
Revision A8
11.4 Interleaved Bank Read (Burst Length = 8, CAS Latency = 3, Auto-precharge)
A0-A9,
A11
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRCD
tRRD
ax0
ax1
ax2
ax3
ax4
ax5
ax6
ax7
by0
by1
by4
by5
by6
CZ0
RAa
CAx
RBb
CBy
RAc
CAz
* AP is the internal precharge start timing
Active
Read
Active
Read
tAC
CLK
DQ
CKE
DQM
A10
WE
CAS
RAS
CS
Read
AP*
BS1
BS0
tRAS
tRP
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PDF描述 |
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