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参数资料
| 型号： | W987X6CBN80 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封装： | 8 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-54 |
| 文件页数： | 22/46页 |
| 文件大小： | 1634K |
| 代理商： | W987X6CBN80 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页当前第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页
Preliminary W987X6CB
Publication Release Date: June 6, 2002
- 29 -
Revision A1
Operating Timing Example, continued
Interleaved Bank Write (Burst Length = 8, Auto Precharge)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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11
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22
23
tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRP
tRCD
tRRD
RAa
CAx
RBb
CBy
RAb
RAc
ax0
ax1
ax4
ax5
ax6
ax7
by0
by1
by2
by3
by4
by5
by6
by7
CZ0
CZ1
CZ2
CAz
(CLK = 100 MHz)
* AP is the internal precharge start timing
CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9,
A11
A10
BS0
WE
CAS
RAS
CS
BS1
Active
Write
Active
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
AP*
Active
Write
AP*
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W987X6CBG75 | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
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| W989D6CBGX7E | 32M X 16 DDR DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| W987Z6CBN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DRAM |
| W988D2FB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:256Mb Mobile LPSDR |
| W988D2FBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC LPSDR SDRAM 256MBIT 90VFBGA |
| W988D2FBJX6I | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:256Mb Mobile LPSDR |
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