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参数资料
| 型号： | W987X6CBN80 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封装： | 8 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-54 |
| 文件页数： | 45/46页 |
| 文件大小： | 1634K |
| 代理商： | W987X6CBN80 |
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Preliminary W987X6CB
- 8 -
10. OPERATING CURRENT
(VDD = 2.5V
±0.2V, TA = 0° C to 70° C for commercial parts ,TA = -40° C to 85° C for Industrial parts)
-75/75I
-8/-8I
PARAMETER
SYM.
MAX.
UNIT
NOTES
Operating Current
tCK = min., tRC = min.
Active
precharge
command
cycling without burst operation
1 bank operation
ICC1
65
60
3
Standby Current
tCK = min, CS = VIH
CKE = VIH
ICC2
15
3
VIH / L = VIH (min.)/ VIL (max.)
Bank: Inactive state
CKE = VIL
(Power Down mode)
ICC2P
0.5
3
Standby Current
CLK = VIL, CS = VIH
CKE = VIH
ICC2S
10
VIH / L = VIH (min.)/ VIL (max.)
BANK: Inactive state
CKE = VIL
(Power down mode)
ICC2PS
0.35
mA
No Operating Current
tCK = min., CS = VIH (min.)
CKE = VIH
ICC3
20
BANK: Active state
(4 banks)
CKE = VIL
(Power down mode)
ICC3P
2
Burst Operating Current
tCK = min. Read/ Write command cycling
ICC4
90
85
3, 4
Auto Refresh Current
tCK = min. Auto refresh command cycling
ICC5
150
140
3
Self Refresh Current Self Refresh Mode CKE = 0.2V
ICC6
400
A
Deep Power Down Mode Current
ICC7
10
A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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