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参数资料
| 型号： | WED9LC6816V1512BI |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153 |
| 封装： | MO-163, BGA-153 |
| 文件页数： | 14/27页 |
| 文件大小： | 370K |
| 代理商： | WED9LC6816V1512BI |
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21
White Electronic Designs Corporation (508) 366-5151 www.whiteedc.com
WED9LC6816V
January 2001
FIG. 12 SDRAM READ & WRITE CYCLE WITH AUTO PRECHARGE @ BURST LENGTH = 4
Cb
Ca
Rb
Ra
CL = 2
Auto Precharge
Start Point
(B-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)
Write with
Auto Precharge
(B-Bank)
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Row Active
(A-Bank)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
Ra
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
Qa1
Qa0
Qa2
DON’T CARE
Rb
CL = 3
DQ
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
Qa1
Qa0
Qa2
SDRAS
SDCAS
ADDR
BA
BWE
SDA10
SDCLK
SDCE
SDWE
NOTES:
1. tCDL should be controlled to meet minimum tRAS before internal precharge start.
(In the case of Burst Length = 1 & 2 and BRSW mode)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WS128K32-35G2TMEA | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
| WS128K32-55G2TIE | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 55 ns, CQFP68 |
| WS128K32-35G2TIE | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
| WS128K32-45G2TIE | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 45 ns, CQFP68 |
| WS512K32-120CJC | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 120 ns, CQCC68 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| WED9LC6816V1610BC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V1610BI | 制造商:White Electronic Designs 功能描述:Res Thin Film 2010 196 Ohm 0.25% 1/4W ±10ppm/°C Molded SMD Plastic T/R 制造商:White Electronic Designs 功能描述:256KX32 SSRAM/ 4MX32 SDRAM |
| WED9LC6816V1612BC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V1612BI | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2010BC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
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