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参数资料
| 型号： | WED9LC6816V1512BI |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153 |
| 封装： | MO-163, BGA-153 |
| 文件页数： | 9/27页 |
| 文件大小： | 370K |
| 代理商： | WED9LC6816V1512BI |
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17
White Electronic Designs Corporation (508) 366-5151 www.whiteedc.com
WED9LC6816V
January 2001
FIG. 8 SDRAM PAGE READ & WRITE CYCLE AT SAME BANK @ BURST LENGTH = 4
Cc0
Cd0
Ca0
Ra
CL = 2
Write
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
tRCD
Ra
Qa0
tRDL
tCDL
Qa1
Qb0
Qb1
Qb2
Dc0
Dc1
Dd0
Dd1
CL = 3
Qa0
Qa1
Qb0
Qb1
Dc0
Dc1
Dd0
Dd1
DON’T CARE
Cb0
Note 2
Note 3
Note 1
DQ
SDRAS
SDCAS
ADDR
BA
BWE
SDA10
SDCLK
SDCE
SDWE
NOTES:
1. To write data before burst read ends. BWE should be asserted three cycle prior to write command to avoid bus contention.
2. Row precharge will interrupt writing. Last data input, tRDL before Row precharge will be written.
3. BWE should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge before end of burst. Input data after Row precharge cycle will be masked
internally.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WS128K32-35G2TMEA | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
| WS128K32-55G2TIE | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 55 ns, CQFP68 |
| WS128K32-35G2TIE | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
| WS128K32-45G2TIE | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 45 ns, CQFP68 |
| WS512K32-120CJC | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 120 ns, CQCC68 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| WED9LC6816V1610BC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V1610BI | 制造商:White Electronic Designs 功能描述:Res Thin Film 2010 196 Ohm 0.25% 1/4W ±10ppm/°C Molded SMD Plastic T/R 制造商:White Electronic Designs 功能描述:256KX32 SSRAM/ 4MX32 SDRAM |
| WED9LC6816V1612BC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V1612BI | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2010BC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
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