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参数资料
| 型号： | ZXM64P02XTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 20V MSOP8 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXM64P02X
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Drain-Source Voltage
V DSS
-20
V
Gate- Source Voltage
V GS
± 12
V
Continuous Drain Current (V GS =4.5V; T A =25°C)(b)
I D
-3.5
A
(V GS =4.5V; T A =70°C)(b)
-2.8
Pulsed Drain Current (c)
I DM
-19
A
Continuous Source Current (Body Diode)(b)
I S
-2.0
A
Pulsed Source Current (Body Diode)(c)
I SM
-19
A
Power Dissipation at T A =25°C (a)
P D
1.1
W
Linear Derating Factor
8.8
mW/°C
Power Dissipation at T A =25°C (b)
P D
1.8
W
Linear Derating Factor
14.4
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
T j :T stg
-55 to +150
°C
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
Junction to Ambient (a)
Junction to Ambient (b)
SYMBOL
R θ JA
R θ JA
VALUE
113
70
UNIT
°C/W
°C/W
NOTES
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper,
in still air conditions
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t 10 secs.
(c) Repetitive rating - pulse width limited by maximum junction temperature. Refer to Transient Thermal
Impedance graph.
I ssue 2 - February 2008
2
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PDF描述 |
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