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参数资料
| 型号： | ZXM64P02XTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 20V MSOP8 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXM64P02X
TYPICAL CHARACTERISTICS
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
Ciss
Coss
Crss
Vgs=0V
f=1Mhz
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
ID=-2.4A
VDS=-15V
0
0.1
1
10
100
0
0
1
2
3
4
5
6
-V DS - Drain Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
Basic Gate Charge Waveform
Switching Time Waveforms
Q -Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Gate Charge Test Circuit
Switching Time Test Circuit
I ssue 2 - February 2008
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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