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参数资料
| 型号： | ZXM64P02XTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 20V MSOP8 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXM64P02X
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
+25 C
100
+150°C
10
5V 4.5V 4V 3.5V 3V
-VGS
2.5V
2V
10
5V 4.5V 4V 3.5V
-VGS
3V
2.5V
2V
1.5V
1
1.5V
1
0.1
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
10
100
100
-V DS - Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
VDS=-10V
1.6
-V DS - Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1.4
RDS(on)
VGS=-4.5V
10
1.2
ID=-2.4A
1
T=150°C
T=25°C
1.0
0.8
VGS=VDS
ID=-250uA
VGS(th)
0.6
0.1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0.4
-100
-50
0
50
100
150
200
10
1
-V GS - Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
VGS=-2V
VGS=-5V
100
10
T j - Junction Temperature (°C)
Normalised R DS(on) and V GS(th)
v Temperature
0.1
1
T=150°C
T=25°C
0.01
0.1
1
10
100
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-I D - Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
-V SD - Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I ssue 2 - February 2008
5
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PDF描述 |
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