参数资料
型号: ZXM64P02XTC
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CHAN 20V MSOP8
标准包装: 4,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 90 毫欧 @ 2.4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 900pF @ 15V
功率 - 最大: 1.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装: 8-MSOP
包装: 带卷 (TR)
ZXM64P02X
CHARACTERISTICS
100
10
Refer Note (a)
DC
2.0
1.5
1.0
Refer Note (b)
Refer Note (a)
1
1s
100ms
10ms
1ms
100us
0.5
100m
0.1
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
80
60
-V DS - Drain-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
Refer Note (b)
120
90
T - Temperature ( °C)
Derating Curve
Refer Note (a)
40
20
D=0.5
D=0.2
D=0.1
60
30
D=0.5
D=0.2
D=0.1
Single Pulse
0
0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
100
Single Pulse
0
0.0001 0.001 0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
I ssue 2 - February 2008
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