- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录541 > ZXMN6A08E6TC (Diodes Inc)MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZXMN6A08E6TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 4.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 459pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXMN6A08E6
Thermal Characteristics
1.2
10
1
R DS(on)
Limited
DC
1s
1.0
0.8
0.6
25mm x 25mm
1oz FR4
100m
100μs
T amb =25°C
100ms
10ms
1ms
Single Pulse
10m
100m 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
0.4
0.2
0.0
0
20
40 60 80 100 120 140 160
Temperature (°C)
120
Safe Operating Area
Derating Curve
100
T amb =25°C
100
Single Pulse
T amb =25°C
80
60
40
D=0.5
D=0.2
Single Pulse
10
20
D=0.05
D=0.1
1
100μ 1m
10m 100m 1
Pulse Width (s)
10
100
1k
100μ 1m
10m 100m 1 10
Pulse Width (s)
100
1k
Transient Thermal Impedance
Pulse Power Dissipation
ZXMN6A08E6
Document Number DS33376 Rev. 7 - 2
3 of 8
www.diodes.com
December 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN6A08GTA | MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 |
| ZXMN6A08KTC | MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK |
| ZXMN6A09DN8TA | MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC |
| ZXMN6A09GTA | MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223 |
| ZXMN6A11DN8TC | MOSFET N-CHAN 60V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN6A08G | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN6A08GTA | 功能描述:MOSFET 60V 3.8A N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN6A08GTC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN6A08K | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN6A08KTC | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。