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参数资料
| 型号： | ZXMN6A08E6TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 4.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 459pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXMN6A08E6
Typical Characteristics (cont.)
10
600
400
C ISS
V GS = 0V
f = 1MHz
8
6
200
C OSS
C RSS
4
2
V DS = 15V
I D = 1.4A
0
1 10
V DS - Drain - Source Voltage (V)
0
0
1
2 3 4
Q - Charge (nC)
5
6
Capacitance v Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Test Circuits
Current
Q G
regulator
12V
50k
Sameas
D.U.T
V G
Q GS
Q GD
Charge
I G
V GS
D.U.T
V DS
I D
V DS
Basic gate charge w aveform
Gate charge test circuit
90%
10%
V GS
R G
V GS
R D
V DS
V DD
t d(on)
t (on)
t r
t d(off)
t (on)
t r
Sw itching time w aveforms
Sw itching time test circuit
ZXMN6A08E6
Document Number DS33376 Rev. 7 - 2
6 of 8
www.diodes.com
December 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN6A08GTA | MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 |
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| ZXMN6A09DN8TA | MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC |
| ZXMN6A09GTA | MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223 |
| ZXMN6A11DN8TC | MOSFET N-CHAN 60V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN6A08G | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN6A08GTA | 功能描述:MOSFET 60V 3.8A N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN6A08GTC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN6A08K | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN6A08KTC | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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