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参数资料
| 型号： | ZXMN6A08E6TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 4.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 459pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXMN6A08E6
Typical Characteristics
10
T = 25°C
10V
5V
4.5V
10
T = 150°C
10V
5V
4V
4V
3.5V
1
3.5V
1
3V
2.5V
3V
0.1
V GS
0.1
V GS
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.01
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
2V
2.0
10
1
V DS = 10V
T = 150°C
1.8
1.6
1.4
1.2
V GS = 10V
I D = 4.8A
R DS(on)
1.0
0.1
T = 25°C
0.8
0.6
0.4
0.2
V GS(th)
V GS = V DS
I D = 250uA
0.01
2 3 4 5
V GS Gate-Source Voltage (V)
0.0
-50
0 50 100
Tj Junction Temperature (°C)
150
Typical Transfer Characteristics
Normalised Curves v Temperature
3V
3.5V
4V
4.5V
10
1
T = 150°C
T = 25°C
V GS
5V
1
0.1
T = 25°C
0.1
7V
V GS = 0V
0.1
1
I D Drain Current (A)
10
10V
0.01
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V SD Source-Drain Voltage (V)
On-Resistance v Drain Current
Source-Drain Diode Forward Voltage
ZXMN6A08E6
Document Number DS33376 Rev. 7 - 2
5 of 8
www.diodes.com
December 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN6A08GTA | MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 |
| ZXMN6A08KTC | MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK |
| ZXMN6A09DN8TA | MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC |
| ZXMN6A09GTA | MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223 |
| ZXMN6A11DN8TC | MOSFET N-CHAN 60V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN6A08G | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN6A08GTA | 功能描述:MOSFET 60V 3.8A N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN6A08GTC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN6A08K | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN6A08KTC | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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